Transistor struktur type
Nov 02, 2019| Bliv sikker opladning med SChitec
Transistor struktur type
Transistoren er lavet af to tæt anbragte PN-forbindelser på et halvledersubstrat. De to PN-forbindelser deler den monolitiske halvleder i tre dele, den midterste del er basisarealet, og de to sider er emitterområdet og kollektorområdet. PNP og NPN.
De tilsvarende elektroder er taget fra de tre områder, som er henholdsvis base b emitter e og kollektor c.
PN-krydset mellem emitterområdet og basisområdet kaldes emitterforbindelsen, og PN-krydset mellem kollektorområdet og basisområdet kaldes kollektorforbindelsen. Basisområdet er meget tyndt, og emitterområdet er tykt, og urenhedskoncentrationen er stor. PNP-type triode emitter-regionen "udsendes" af huller, og dens bevægelsesretning er i overensstemmelse med den aktuelle retning, så emitterpilen er indad; transistor-emitterområdet af NPN-typen "lanceres". "De frie elektroner bevæger sig i den modsatte retning af strømmen, så emitterpilen er udad. Emitterpilen peger på ledningsretningen af PN-forbindelsen ved fremadspændingen. Både siliciumtransistoren og germaniumtransistoren har både PNP-type og NPN type.
Transistorpakkeform og pin-identifikation
Almindelig brugte trioder fås i metal- og plastikemballager. Arrangementet af stifterne har et bestemt mønster.
Den nederste visningsposition er placeret således, at de tre stifter danner spidsen af den ligebenede trekant, som er ebc fra venstre mod højre; for den lille og mellemstore plastiktriode vender flyet mod sig selv, og de tre stifter vender nedad, så fra venstre Til højre er ebc.
Der findes mange typer krystaltrioder i landet, og stifternes arrangement er ikke det samme. Ved brug af de trioder, som stifterne er anbragt i, skal målingen foretages for at bestemme den korrekte position af hver stift, eller transistormanualen kan findes for at tydeliggøre trioden. Karakteristika og tilsvarende tekniske parametre og information.