Felteffekt transistor
Nov 05, 2019| Bliv sikker opladning med SChitec
Felteffekt transistor
Betydningen af "felteffekt" er, at arbejdsprincippet for denne transistor er baseret på halvlederens elektriske felteffekt.
Felteffekttransistor En transistor, der fungerer efter princippet om felteffekt. Felteffekttransistorer indeholder igen to hovedtyper: Junction FET'er (JFET'er) og Metal-Oxide Semiconductor FET'er (MOS-FET'er). I modsætning til BJT er FET'er kun elektrisk ledende af én type bærere (majoritetsbærere) og omtales derfor også som unipolære transistorer. Den tilhører en spændingsstyret halvlederenhed og har fordelene ved høj inputmodstand, lavt støjniveau, lavt strømforbrug, stort dynamisk område, nem integration, ingen sekundær nedbrud og bredt sikkert arbejdsområde.
Felteffekten er at ændre retningen eller størrelsen af det påførte elektriske felt vinkelret på overfladen af halvlederen for at kontrollere tætheden eller typen af majoritetsbærere i det ledende halvlederlag (kanal). Det er en spændingsmoduleret strøm i kanalen, hvis driftsstrøm transporteres af majoritetsbærere i halvlederen. En sådan transistor, hvor kun én type polær bærer deltager i ledning, kaldes også en unipolær transistor. Sammenlignet med bipolære transistorer har felteffekttransistorer karakteristika af høj indgangsimpedans, lav støj, høj grænsefrekvens, lavt strømforbrug, enkel fremstillingsproces og gode temperaturegenskaber. De er meget udbredt i forskellige forstærkerkredsløb, digitale kredsløb og mikrobølgekredsløb. Vente. Siliciumbaserede metal-0-oxid-halvleder-felteffekttransistorer (MOSFET'er) og galliumarsenid-baserede Schottky-barrierefelteffekttransistorer (MESFET'er) er de to vigtigste felteffekttransistorer. De er de grundlæggende enheder i MOS LSI og MES ultra-højhastigheds integrerede kredsløb.


